浮区晶体生长装置

LT-FZ-CG-3000

最高加热温度：≥ 3000℃腔体真空度：≤ 5×10⁻³ Pa腔体耐压：≥ 10 atm实验环境：真空、O₂、Ar、N₂晶体直径：≤ 6 mm晶体长度：≤ 100 mm生长速率：0.5–10 mm/h 可调应用：功能氧化物、半导体及金属单晶的生长

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